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英特尔(IntelCorp.)的晶圆代工制程工程进度虽然领先台积电，但专家分析，英特尔稳扎稳打，14纳米、10纳米制程今年(2016年)年底前的扩展工程进度都非常不俗。

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本文摘要：英特尔(IntelCorp.)的晶圆代工制程工程进度虽然领先台积电，但专家分析，英特尔稳扎稳打，14纳米、10纳米制程今年(2016年)年底前的扩展工程进度都非常不俗。

英特尔(IntelCorp.)的晶圆代工制程工程进度虽然领先台积电，但专家分析，英特尔稳扎稳打，14纳米、10纳米制程今年(2016年)年底前的扩展工程进度都非常不俗。　　市场分析师在仔细观察过英特尔各大半导体材料供应商的生产数据后认为，英特尔正在持续增加新墨西哥州Fab11X厂、亚利桑那州Fab32厂的生产能力，而以色列的Fab28则以备要在明年初引入10纳米制程。　　报告相提并论，坐落于奥勒冈、亚利桑那和爱尔兰的三座高产能厂房，14纳米制程的生产能力还在持续减少中，至于Fab11X厂的老旧制程则明显降低。　　英特尔才在9月公布使用14纳米制程、KabyLake架构的第七代Core系列处理器，最近还预测7-9月当季营收未来将会茁壮15%，以此来看，英特尔在资料中心/物联网(IoT)/存储器的长年发展依旧非常不俗。

　　先前有外资认为，台积电的晶圆代工能力，约比英特尔领先一年。　　之前，有美系外资公布研究报告认为，台积电在技术、处置ARM制程的能力、晶圆生产能力、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面，都比英特尔远比强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都更佳，但晶圆代工能力却领先微处理器生产技术最少两年，因此大约比台积电晚了一年左右。

也就是说，英特尔短期内无法对台积电产生实质威胁。　　互为较之下，台积电的10纳米、7纳米制程技术虽领先英特尔，但台积电比英特尔提早1-2年迈入7纳米制程，可借以延长两家公司的差距。台积电在独家PCB技术整合型扇出型PCB(integratedfan-out，InFO)的帮助下，未来将会在2017年、2018年抢走10纳米和7纳米晶圆代工市场。　　WCCFtech9月25日报导，台积电研发单位已在内部会议中，揭发未来几年的近期研发蓝图，根据几名资深高层的众说纷纭，该公司今年底就不会切换至10纳米，7纳米则不会在明年试产、估算明年4月就可接单，而16纳米FinFETcompact制程(FFC，比16FF+更加仪器)也将在今年引入。

7纳米制程可大幅度提高省电效能(时脉大约3.8Ghz、核心电压(vcore)约1V)，临界电压(thresholdvoltage)低于平均0.4V，限于温度大约为150度。

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